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AXD安信达测试筛选Nand Flash（闪存芯片）分析仪设备
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简介 NFA100是一套功能强大且极具灵活性的Nand Flash分析系统，它最大限度地满足用户的对于Nand Flash的信息分析需求以及对这些信息的再处理需求。 1. NFA100最大限度地提供NAND的各种原始信息。 对NAND的认知(原始信息)只能通过对NAND发送各种command,同时读取output. NFA100除了可以发送erase, program, read, reset, getID等简单command外， 还能发送诸如set feature/get feature等command。这样，很容易实现Nand Flash的readretry（RR）等方面的测试。 NFA100还能发送用户自定义的command (1-byte command)，可支持于客户的一些特殊测试。 2. 有能力对（1）的各种原始信息进行再处理 NFA100有很强的对原始信息的再处理能力，Renice也可以开发各种算法为客户提供建议/客制。比如bad block detection和nand sorting. 3. NFA100为客户提供了一个完全开放的平台，非常方便客户自行按照自己的需求设计各种测试。 NFA100提供了两种不同级别的用户开发平台 3.1. API 通过API,各种对NAND Flash的操作及设定,用户都可以通过调用NFA100提供的库程序在自己的软件中方便的实现自己需要的功能。 3.2.脚本（script） NFA100提供了一套自己的编程语言，用户可以在NFA100的环境（界面）下执行自定义的script。 4. NFA100采用分布式架构，即每一个子板（SUB board）上都有NAND controller, 因此对于部分测试功能无须占用主机资源。使其operation速度可以很快。 program的throughput的设计spec可以达到: 1GB/s read的throughout的设计spec可以达到: 1.5GB/s 对于产品厂商而言，NFA100的强大功能可以帮助用户按照可靠性高低需求不同将Nand Flash分为不同的等级，最真实的评估Nand Flash可靠性和真实寿命。 1．对于原厂提供的Nand Flash，NFA100可以测试出真实的P/E次数，如：Nand Flash的规格书上标明的P/E cycle次数为3K，真实的情况可能会有部分芯片擦写次数大于3K，甚至是6K，筛选出寿命最佳的Nand Flash用于对产品来说更具寿命保障。 2.对于非原装的Nand Flash，NFA100可以准确的扫描出其坏块以及即处于临界状态的块；管理功能可以将这些坏块加以标识和管理，保证数据不会写入到认为不良的Block上面，从而保障产品的可靠性。 NFA100的这种功能还可以帮用户判断所采购的Nand Flash是否为原装，也可以通过NFA100判断是否为二手翻新片或者其他假冒伪劣产品。 对于研究机构、高校或公司研发人员而言，NFA100是个灵活的平台，方便进行各种debug、学术研究和技术开发。 基本特征：
1. 母版
2. 底版
3.分析软件 分析软件主要包括下面内容: (主要部分) 1. NAND interface timing setting 2. NAND device power voltage setting 3. NAND device ID information and status check 4. Bad Block scan and management 5. Access time measurement 6. P/E cycle dependence of access time 7. NAND command（Erase, Program, Read） 8. Program pattern settings(Increment, Pseudo Random, Page Stripe etc.） 9. Dump of read data and save to file 10. P/E Cycle(P/E cycle number, flexible settings of program patterns) 11. script execution(Renice script Language; SSL) 12. Error rate measurement(Bit ER, Page ER after ECC) 13. ECC strength settings(code length and correctable error number) 14. Data retention measurement(time vs bit error) 15. Program disturb measurement(P/E cycle vs bit error) 16. Error distribution(page/column dependence)
支持下列Nand Flash 目前测试已经支持到16nm，3D Nand等可以根据客户需求进行升级 1. onFI 3.2 / Toggle DDR 2.0(SLC / MLC / TLC) 2. NAND IF : Asynchronous / Synchronous / Toggle DDR 3. Package : TSOP 48pin, BGA 63/100/132/152pin 4. Verified to work with latest NAND device 5. (Toshiba 19nm, Micron/Intel 20nm, Samsung 21nm）
AXD安信达深耕经营闪存存储市场近十年，拥有优异的客制化能力、严谨的制造质量与实时的技术支持，不但是企业最佳的合作伙伴，更通过多家一级大厂认证，致力于为客户提供可靠 可信 产品与服务。
