Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,适用于移动设备和消费电子

   2017-04-25 图说智能化249
核心提示:日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为
       日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK® SC-70封装,是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm x 2mm塑料封装的30V器件。

 

今天发布的MOSFET是目前尺寸最小的30V产品之一,比PowerPAK 1212封装的器件小60%,在笔记本电脑、平板电脑、VR头盔和DC-DC砖式电源,无线充电器中的H桥,以及无人机的电机驱动控制中,可用于DC/DC转换和电池管理的负载切换。

 

SiA468DJ在10V和4.5V下具有8.4mΩ和11.4mΩ的极低导通电阻,在这些应用中能减小传导损耗,提高效率。其导通电阻比前一代产品低51%,比最接近的竞争产品低6%。另外,MOSFET的优值系数 (FOM) 针对各种功率转换拓扑进行了优化。

 

SiA468DJ的连续漏极电流高达37.8A,比前一代器件高68%,比最接近的竞争产品高50%。高漏极电流为会碰到高瞬变电流的应用产品提供了足够的安全余量。MOSFET进行了100%的RG测试,符合RoHS,无卤素。

 

SiA468DJ现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十三周。

 
0
反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0
 
更多>同类智能输送方案
推荐图文
推荐智能输送方案
点击排行
网站首页  |  关于怡鹏达  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  粤ICP备2023057463号  |  粤ICP备2023057463号-1